SK海力士研发全球首款238层闪存芯片
发布时间：2025-07-06 12:00:56 作者：玩站小弟 
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我要评论韩国半导体制造商SK海力士3日表示，公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLCTriple Level Cell）4D闪存芯片NAND）样品，该芯片将于明年上半年实现量产。SK海力
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韩国半导体制造商SK海力士3日表示，海力公司成功研发出全球首款业界最高层数的士研闪存238层512Gb TLC（Triple Level Cell）4D闪存芯片（NAND）样品，该芯片将于明年上半年实现量产。发全
SK海力士当天在美国加州举行的球首2022全球闪存峰会上公开该产品。公司表示，款层这是芯片公司自2020年12月研发出176层NAND后时隔1年零7个月成功研发下一代新技术。尤其是海力新产品既拥有业界最高层数，也是士研闪存目前最小的NAND产品，其意义重大。发全
与176层NAND相比，球首新产品的款层生产效率提升34%，数据传输速度（每秒2.4Gb）提升50%，芯片功耗减少21%。海力
SK海力士计划先为客户端固态硬盘（SSD）供应238层NAND，士研闪存之后逐步将产品使用范围扩大至智能手机和大容量服务器固态硬盘，发全并于明年推出该产品的1Tb扩容版。
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